岩手県工業技術センター
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オープンラボ
半導体・電子デバイス試作開発設備


        当センターではこれまで推進してきたZnO(酸化亜鉛)応用研究開発プロジェクトで、
       クリーンルーム、半導体製造装置および特性評価装置を揃えた「オープンラボ」を整備
       してきました。
       
        この度、研究開発型企業への支援強化を目的として、ZnO関連以外の用途でもオープンラボ
       を広く開放し、機器設備類の有償貸出を行うことといたしました。半導体や精密部品の研究開発
       に是非ご活用下さい。


オープンラボ貸出機器

オープンラボに関する貸出料金・担当者等詳細(PDF/1.5MB)

機器名 メーカー 型式 機器仕様
MOCVD装置 ユーテック 13-305PZ-4 ユーテック製溶液気化式CVD装置 サーマルCVD法、プラズマCVD法選択可能 
原料導入:溶液気化式 
真空性能:6.5Pa以下 
基板処理枚数:φ2インチ基板1枚/バッチ式 
基板加熱温度(ヒーター表面):900℃
スパッタ装置 アルバック MPS-3000-
MC1C1LTS1
1.仕様
 基板ホルダ : φ2インチ、角2インチ、角10mm
 試料準備室逆スパッタ機構 : RF 13.56 MHz、最大200 W
 基板回転 : 4 rpmから10 rpm
 基板温度 : 最高800℃
 スパッタガス : アルゴンr、酸素、窒素
 ターゲット-試料ホルダ間距離 : 150 mm
 成膜圧力範囲 : 0.1 Paから 10 Pa

2.スパッタカソード
・カソード1
 サイズ : φ120 mm (5インチ)
 電源 : RF 13.56 MHz (500 W、自動マッチング)、DC 500 W
 DC/RF重畳用回路付

・カソード2
 サイズ : φ101.6 mm (4インチ)
 電源 : RF 13.56 MHz (500 W、自動マッチング)

・カソード3
 サイズ : φ50.8 mm (2インチ)
 電源 : RF 13.56 MHz (200 W、自動マッチング)
ICP反応性エッチング装置 アルカテル MS100SE アルカテル(フランス) MS100   
1.仕様
基板サイズ: 直径6インチ以下
エッチングレート: 均一性±5%以内
         (φ4インチ面内) 
2.エッチング性能              
2-1 シリコンディープエッチング
   ボッシュプロセスライセンス  
   エッチングレート 10μm/分以上
   アスペクト比   40以上 
2-2 ZnOエッチング性能:
   エッチングレート 100nm/分以上
2-3 SiO2エッチング性能:
   エッチングレート 50nm/分以上
大型管状炉A 光洋サーモシステム KTF-055N 用途 : Si熱酸化用
 使用最高温度 : 1,100℃
 チューブ寸法 : φ80×500 mm
大型管状炉B 光洋サーモシステム KTF-055N 用途 : 金属膜アニール用
 使用最高温度 : 1,100℃
 チューブ寸法 : φ80×500 mm
大型管状炉C 光洋サーモシステム KTF-055N 用途 : ZnOアニール用
 使用最高温度 : 1,100℃
 チューブ寸法 : φ80×500 mm
大型管状炉D 光洋サーモシステム KTF-055N 用途 : n形ZnOおよびサファイアアニール用
 使用最高温度 : 1,100℃
 チューブ寸法 : φ80×500 mm
小型管状炉 光洋サーモシステム KTF-035N特形 使用最高温度 : 1,100℃
 チューブ寸法 : φ28×300 mm
赤外線加熱炉 アルバック理工 VHC-P610/39HD 低温炉部
 温度範囲  室温から1100℃
 試料サイズ 2インチ以下
 昇温速度  最大20℃/秒
 到達真空度 10-3Pa以下
 雰囲気   真空、窒素、酸素、アルゴン
高温炉部
 温度範囲  室温から1600℃
 試料サイズ 10mm以下
 昇温速度  最大20℃/秒
 到達真空度 10-2Pa以下
 雰囲気   真空、窒素、酸素、アルゴン
小型真空蒸着装置 サンバック ED1250R 本体
 真空槽 : 内径φ230×240H SUSチャンバー
 排気系 : ターボ分子ポンプ(300 L/s)、油回転ポンプ(100L/min)
 最高到達真空度 : 3.0E-3 Pa
 抵抗加熱源 : 2基 (0.5 kVA)
 電子ビーム加熱源 : 1基 (3 kW)
試料部
 試料サイズ : 最大φ2インチ
 試料温度 : 室温〜450℃
 回転機構 : あり
非接触抵抗率測定装置 ナプソン NC-10  試料サイズ : 直径φ75mm から φ200 mm、
   厚さ 300μm 800 μm程度
 抵抗率測定範囲 : 0.001Ωcm から100 Ωcm
ホール効果測定装置 東陽テクニカ RESITEST 8310  試料サイズ : 角10 mm以内
 測定方式 : DC磁場およびAC磁場
 磁場強度 : -0.8 T から +0.8 T
 温度範囲 : 15 K から 室温
 比抵抗測定範囲 : 1E-5 Ωcm から 1E9 Ωcm
 電極間抵抗範囲 : 1E-1 Ωcm から 1E13 Ωcm
 電流設定範囲 : 5 pAから19 mA
 最高印加電圧 : 100 V
 電圧測定入力抵抗 : 1E14 Ω以上
水銀プローブ式C-V測定装置 堀場製作所 AP-2000  試料サイズ : 角10 mmからφ6インチ
 測定可能キャリア密度範囲 : 1E14/cm3から2E18/cm3
                     (p形、n型とも)
 周波数帯域 : 20 Hzから1 MHz
 測定再現精度 : σ/AVG = ±3%以内
半導体パラメータアナライザ ケースレーインスツルメンツ 4200-SCS 電流測定・印加
 最小電流レンジ : 1 pA (プリアンプ装着時)
 電流分解能 : 0.1 fA (プリアンプ装着時)
 電流測定時確度 : 1% + 10 fA
 最大印加電流電力 : 1A 20V 20W
 電流印加分解能 : 1.5 fA
 電流印加確度 : 1% + 40 fA

電圧測定・印加
 最小電圧レンジ : 200 mV
 電圧分解能 : 1 μV
 最大印加電圧 : 200 V
 電圧印加分解能 : 5 μV
 電圧印加確度 : 0.02% + 150 μV
ソースメジャーユニット ケースレーインスツルメンツ 6430 ソース機能
 電圧源 : 5 μV から 200 V
 電流源 : 0.05 fA から 100 mA
.測定機能
 電圧測定 : 1 μV から200 V
 電流測定 : 0.01 fA から 100 mA
 抵抗測定 : 1 μΩ から2 TΩ
研磨機 マルトー ML-150SL  ラップ盤サイズ : φ150 mm
 回転数 : 15 rpmから60 rpm
 研磨試料サイズ : φ1 mmからφ50 mm
マニュアルウェッジワイヤーボンダー ウェストボンド 7476D ボンディング方式 : 超音波および超音波熱圧着
 ウェッジ動作 : 手動
 ステージ : XYZ3軸マニピュレータ
 ボンディング可能なワイヤ : 金またはアルミ (ワイヤ直径 φ18からφ50 μm)
 ボンディング荷重 : 18 gから90 g
 超音波出力 : 最大 4 W
 超音波印加時間 : 0から999 ms (1 ms単位で設定可能)
 ・ツール加熱機構付(最大温度200℃)
ダイボンダー ウェストボンド 7200CR  ボンディング方式 : 荷重圧着
 ステージ : XYZ3軸マニピュレータ
 ディスペンス方法 : エアー圧力による塗布
 荷重 : 10 gから75 g
 ディスペンス時間 : 0 msから999 ms (1 ms単位で設定可能)
 ダイパフタイム(真空破壊) : 0msから25 ms (1 ms単位で設定可能)
分光反射率・透過率測定器 日本分光 V-550、ARV-474S 仕様
 測定項目 : 絶対/相対反射率、透過率
 試料サイズ : 10mmから70mm角、t10mm以内
 測定波長範囲 : 250nmから850 nm
 光束サイズ : 3×12mm、Φ1、Φ2、Φ3
 絶対反射率測定時入射角 : 5°から60°
 透過測定時入射角 : 0°から60°
 絶対反射率測光精度 : ±1.5%(入射角6°)
 100%ライン平坦性 : ±1%以内
その他
 LED発光波長測定ユニット
 外部光導入光学系
 多層膜解析プログラム
 カラー診断プログラム
紫外可視光照射装置 日本分光 IUV-25  光源 : 150 W Xeランプ
 波長範囲 : 200 nmから1200 nm
 照射波長帯域幅 : 20nm から40 nm
 照射光サイズ : 角10 mm (面内均一性 ±10%以内)
分極圧電特性評価システム アグザクト TFA-1000 強誘電体テスター
 測定項目:ヒステリシス、リーク電流、疲労特性、インプリント、リテンション、 ピエゾ 
 印加周波数:10mHzから250Hz  
 電流範囲:1nAから1A 
 電圧範囲:±10kV 
レーザー変位計(ドップラー振動方式 He-Neガスレーザー使用) 
 変位測定範囲:±5nmから±40mm 
 最高分解能:5nm 
 周波数測定範囲:DC〜20kHz
卓上小型電気炉 日陶科学 NHK-170  使用最高温度 : 1,300℃
 炉内寸法 : W170×D170×H150 mm
 温度プログラム : 2パターン、8ステップ
オシロスコープ アジレント DSO6034A  チャンネル数 : 4ch
 帯域幅(-3dB) : DC 〜 300 MHz
 サンプル数 : 2 Gサンプル/s
ガウスメータ Lake shore 421、MNT-4E04-VH  入力ch数 : 1
 プローブ軸材料 : ガラス樹脂
 周波数範囲 : DCおよび10〜400 Hz
 測定レンジ : 3 mT、30 mT、300 mT、3 T
 精度 : ±0.25%to3T
 インターフェース : RS-232C(LabVIEWドライバ有)
 アナログ電圧出力有
ダイシングソー 東京精密 A-WD-10A  最大ワークサイズ : □160 mm
 ブレードサイズ : 2インチ
 スピンドル回転数 : 1,500 〜 40,000 rpm
 X軸研削速度 : 0.1 〜 327 mm/s
 Y軸位置決め精度 : 3 μm
 Z軸分解能 : 0.1 μm以下
フォトルミネッセンス装置 堀場製作所 Photoluminor-U  励起光源 : He-Cd空冷CWレーザ(325 nm)
 照射径 : 0.3 mm以下
 励起パワー : 最大10 mW程度、NDフィルターで減光可
 測定温度 : 4 K〜室温
 測定波長範囲 : 200〜1050 nm
 分光器 : ツェルニターナ型マウント、f=320 mm
 グレーティング : 1200 gr/mm
 検出器 : 空冷CCD検出器
フォトマスク作製装置 アオバサイエンス PR-MR1 1.マスターマスク作製部
 原図投影可能サイズ:700mm×700mm
 マスターマスク露光倍率:1/10、1/20
 パターン解像度:200μmラインアンドスペースパターン
2.リピータマスク作製部
 ステージ移動距離: 50mm×50mm
 マスターマスクホルダ:□2.5インチ固定用
 リピータマスクホルダ:□2.5インチ固定用
 パターン解像度:20μmラインアンドスペースパターン
光学シミュレータソフト リーディンテックス ZEMAX-EE バージョン : August 1, 2006

可能な設計・解析
 ・シーケンシャルモード
  例. カメラレンズやプロジェクタなどの各種結像光学系設計
 ・物理光学的解析
  例. レーザやコヒーレントビームの設計、ファイバの結合、干渉計
 ・ノンシーケンシャルモード
  例. LED照明設計、ライトパイプ
 ・イメージシミュレーション
 ・公差を考慮した設計と最適化
両面マスクアライナー ユニオン光学 PEM-800  マスクサイズ : □2.5インチ、□5インチ
 ウェハサイズ : 最大φ4インチ
 光源 : 250W 超高圧水銀ランプ
 露光照度 : 15 mW/cm2程度(強度分布±5%以内)
 アライメント精度 : ±5μm以内
 解像力 : 3μm
電子線描画装置 エリオニクス ELS-3700DPW  試料サイズ : □10 mm、□2.5インチ、φ3インチ
 電子銃 : タングステン
 最大加速電圧 : 30 kV
 ビーム電流 : 2.0E-12 〜 1.0E-7 A
 電子線走査領域 : □0.2 mm、□0.5 mm、□1.0 mm
 フィールドつなぎ精度 : 条件出しにより±0.3μm程度まで
                可能(フィールドコレクション機能使用)
 パターン作成 : パターンジェネレータ、
           DXFファイルからの変換が可能
走査イオン顕微鏡 セイコーインスツルメ SMI9200 収束したガリウムイオンビームで微小な穴掘加工をする装置。タングステン薄膜、カーボン薄膜の堆積も可能。
【仕様】
・像分解能;8nm
・最大倍率;300,000倍
・最大加速電圧;30 kV
・最大ステージ移動範囲;X:50mm, Y:55mm, Z:10mm, θ:360[degree], T(チ
ルト):60[degree]
・最大試料サイズ;直径100mm、厚さ10mm






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